La dispersión de los rayos X es el factor principal de tales artefactos en la TC. Si bien la reducción de dispersión de última generación simula la dispersión en función de los datos CAD o las propiedades del material de la muestra, la tecnología scatter | correct patentada de GE realmente mide la porción de dispersión de esa muestra específica en el escáner de TC y la minimiza del resultado de TC para cada vóxel individual.

Principales características

• Rendimiento de alta precisión de bajo artefacto del TC de haz en abanico combinado con una velocidad de inspección hasta 100 veces más rápida * del TC de haz cónico
• Proporciona una mejora significativa de la calidad no solo para materiales de alta dispersión, como acero y aluminio, sino también para compuestos y muestras de múltiples materiales.
• Evaluación cuantitativa de volumen claramente mejorada, p. Ej. Reconocimiento automático de defectos o metrología 3D precisa de objetos multimateriales difíciles de penetrar.
• Tecnología patentada de GE: disponible exclusivamente como opción para el escáner industrial mini y microCT phoenix v | tome | x cy m, así como paquete de actualización para sistemas m instalados.